器件3D模型

￥ 0.625

CSD85301Q2T 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

WDFN-6

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD85301Q2T 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 900 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD85301Q2T 数据手册 (15 页)

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CSD85301Q2T 数据手册 (15 页)

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CSD85301Q2T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

WDFN-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.023 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

2.3 W

阈值电压

900 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

26 ns

输入电容值(Ciss)

469pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2.3 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.3 W

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CSD85301Q2T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.1 mm

宽度

2.1 mm

高度

0.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD85301Q2T 符合标准

CSD85301Q2T 概述

CSD85301Q2T 数据手册

TI（德州仪器）

15 页 / 1.13 MByte

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