￥ 1.395

CSD87333Q3DT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

晶体管

封装:

PowerTDFN-8

描述:

30V、N 沟道同步降压 NexFET MOSFET™、SON3x3 电源块、15A 8-VSON-CLIP -55 to 150

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD87333Q3DT 数据手册 (24 页)

封装尺寸在16 页 20 页 22 页 23 页

典型应用电路图在10 页

CSD87333Q3DT 数据手册 (24 页)

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CSD87333Q3DT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerTDFN-8

极性

Dual N-Channel

功耗

6000 mW

漏源极电压(Vds)

30 V

输入电容值(Ciss)

662pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

6 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

0 ℃

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CSD87333Q3DT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

125℃ (TJ)

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CSD87333Q3DT 符合标准

CSD87333Q3DT 数据手册

TI（德州仪器）

24 页 / 1.02 MByte

CSD87333Q3DT 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

22 页 / 1.05 MByte

CSD87333Q3 数据手册

CSD87333Q3D 数据手册

TI（德州仪器）

高占空比同步降压 NexFET 3x3 电源块

CSD87333Q3DT 数据手册

TI（德州仪器）

30V、N 沟道同步降压 NexFET MOSFET™、SON3x3 电源块、15A 8-VSON-CLIP -55 to 150

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