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器件3D模型
¥ 0.476
CSD87334Q3DT 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
电源配件
封装:
PowerTDFN-8
描述:
CSD87334Q3DT 编带
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
CSD87334Q3DT 数据手册 (22 页)
封装尺寸
在
15 页
18 页
20 页
21 页
典型应用电路图
在
9 页
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CSD87334Q3DT 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PowerTDFN-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0049 Ω
功耗
6 W
阈值电压
900 mV
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
7 ns
输入电容值(Ciss)
1260pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
6 W
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
6000 mW
查看数据手册 >
CSD87334Q3DT 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
CSD87334Q3DT 符合标准
CSD87334Q3DT 概述
●
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)非对称型 30V - 6W 表面贴装型 8-VSON(3.3x3.3)
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CSD87334Q3DT 数据手册
CSD87334Q3DT
数据手册
TI(德州仪器)
22 页 / 1.18 MByte
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TI(德州仪器)
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CSD87334Q3 数据手册
CSD87334Q3
DT
数据手册
TI(德州仪器)
CSD87334Q3DT 编带
CSD87334Q3
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TI(德州仪器)
CSD87334Q3D 同步降压 NexFET 电源块
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