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器件3D模型
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CY7C1414KV18-250BZXC 数据手册 - Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
制造商:
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
分类:
RAM芯片
封装:
FBGA-165
描述:
CY7C1414JV18 系列 36 Mb (1M x 36) 1.8 V 250 MHz QDR II SRAM - FBGA-165
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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CY7C1414KV18-250BZXC 数据手册 (34 页)
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CY7C1414KV18-250BZXC 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
165 Pin
封装
FBGA-165
供电电流
730 mA
时钟频率
250 MHz
位数
36 Bit
存取时间
0.45 ns
存取时间(Max)
0.45 ns
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
电源电压
1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max)
1.9 V
电源电压(Min)
1.7 V
查看数据手册 >
CY7C1414KV18-250BZXC 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tray
高度
0.89 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃ (TA)
查看数据手册 >
CY7C1414KV18-250BZXC 符合标准
CY7C1414KV18-250BZXC 海关信息
CY7C1414KV18-250BZXC 数据手册
CY7C1414KV18-250BZXC
数据手册
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
34 页 / 0.85 MByte
CY7C1414KV18-250BZXC
其他数据使用手册
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
35 页 / 0.6 MByte
CY7C1414KV18250 数据手册
CY7C1414KV18-250BZXI
数据手册
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture
CY7C1414KV18-250BZC
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36 - Mbit的QDR ? II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1414KV18-250BZXC
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CY7C1414JV18 系列 36 Mb (1M x 36) 1.8 V 250 MHz QDR II SRAM - FBGA-165
CY7C1414KV18-250BZI
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36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture
CY7C1414KV18-250BZCT
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Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
CY7C1414KV18-250BZXIT
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Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
静态随机存取存储器 36Mb 1.8V 250Mhz 1M x 36 QDR II 静态随机存取存储器
CY7C1414KV18-250BZXCT
数据手册
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