器件3D模型

￥ 87.507

CY7C1570KV18-500BZXC 数据手册 - Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

制造商:

Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

分类:

RAM芯片

封装:

FBGA-165

描述:

72兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构 72-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CY7C1570KV18-500BZXC 数据手册 (30 页)

引脚图在4 页 5 页 6 页Hot

封装尺寸在25 页

原理图在2 页 10 页 13 页

CY7C1570KV18-500BZXC 数据手册 (30 页)

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CY7C1570KV18-500BZXC 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

165 Pin

封装

FBGA-165

位数

36 Bit

存取时间

0.45 ns

存取时间(Max)

0.45 ns

工作温度(Max)

70 ℃

工作温度(Min)

0 ℃

电源电压

1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max)

1.9 V

电源电压(Min)

1.7 V

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CY7C1570KV18-500BZXC 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tray

工作温度

0℃ ~ 70℃ (TA)

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CY7C1570KV18-500BZXC 符合标准

CY7C1570KV18-500BZXC 概述

CY7C1570KV18-500BZXC 数据手册

Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

30 页 / 0.64 MByte

CY7C1570KV18-500BZXC 其他数据使用手册

Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

32 页 / 0.51 MByte

CY7C1570KV18500 数据手册

CY7C1570KV18-500BZC 数据手册

Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

72兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构（ 2.5周期读延迟） 72-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CY7C1570KV18-500BZXC 数据手册

Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

72兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构 72-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture

CY7C1570KV18-500BZXI 数据手册

Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

72兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构（ 2.5周期读延迟） 72-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

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