器件3D模型

￥ 3.359

CY7C25652KV18-500BZC 数据手册 - Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

制造商:

Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

分类:

存储芯片

封装:

FBGA-165

描述:

72兆位QDRÂ® II SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟）与ODT 72-Mbit QDRÂ® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CY7C25652KV18-500BZC 数据手册 (32 页)

引脚图在4 页 5 页 6 页Hot

封装尺寸在28 页

原理图在2 页 12 页 15 页

CY7C25652KV18-500BZC 数据手册 (32 页)

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CY7C25652KV18-500BZC 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

165 Pin

封装

FBGA-165

时钟频率

500 MHz

位数

36 Bit

存取时间(Max)

0.45 ns

工作温度(Max)

70 ℃

工作温度(Min)

0 ℃

电源电压

1.7V ~ 1.9V

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CY7C25652KV18-500BZC 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tray

高度

0.89 mm

工作温度

0℃ ~ 70℃ (TA)

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CY7C25652KV18-500BZC 符合标准

CY7C25652KV18-500BZC 海关信息

CY7C25652KV18-500BZC 数据手册

Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

32 页 / 0.86 MByte

CY7C25652KV18-500BZC 其他数据使用手册

Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

31 页 / 0.47 MByte

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72兆位QDRÂ® II SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟）与ODT 72-Mbit QDRÂ® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

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