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DA112S1
器件3D模型
0.679
DA112S1 数据手册 (8 页)
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DA112S1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
击穿电压
18.0 V
针脚数
8 Position
正向电压
1.20 V
功耗
730 mW
正向电压(Max)
12 V
正向电流(Max)
50 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
730 mW

DA112S1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.25 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DA112S1 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.12 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.35 MByte

DA112 数据手册

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