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DCX114EH-7
0.043
DCX114EH-7 数据手册 (8 页)
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DCX114EH-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-563-6
极性
NPN+PNP
功耗
0.15 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
30 @5mA, 5V
额定功率(Max)
150 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
250 MHz
耗散功率(Max)
150 mW

DCX114EH-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DCX114EH-7 数据手册

Diodes(美台)
8 页 / 0.36 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte

DCX114 数据手册

Diodes(美台)
DCX114YU-7-F 编带
Diodes(美台)
DCX114EU 系列 50 V 100 mA NPN/PNP 表面贴装 双 晶体管 - SOT-363-6
Diodes(美台)
双极晶体管 - 预偏置 200MW 4.7K
Diodes(美台)
数字晶体管 DCX114EH-7 SOT-563
Diodes(美台)
Diodes(美台)
数字晶体管 DCX114YH-7 SOT-563
Diodes(美台)
DCX114EU-13R-F 双 NPN,PNP 数字晶体管, -0.5 μA,0.5 μA, Vce=-50 V, 50 V, 电阻比:47 kΩ, 6针 SOT-363封装
Diodes(美台)
Diodes(美台)
Diodes(美台)
特点•小信号互补预偏置双晶体管•外延平面电路小片建设•内置偏置电阻器?•无铅/ RoHS规定(注3)•表面贴装封装,适合于自动化装配
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