●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| -50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 4.7KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 4.7KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 100~600 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Feature • PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Types Available(DDTC) • Built-In Biasing Resistor, R1 only • Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) 描述与应用| 特点 •PNP预偏置小信号SOT-23表面贴装晶体管 •外延平面模具建设 •互补NPN类型(DDTC) •内置偏置电阻R1只 •无铅/ RoHS规定(注2)
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特点 •PNP预偏置小信号SOT-2..
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