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DE375-102N12A 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

DE-375

描述:

IXYS RF DE375-102N12A 晶体管, 射频FET, 1 kV, 12 A, 940 W, 50 MHz, DE-375

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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DE375-102N12A 数据手册 (3 页)

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DE375-102N12A 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

6 Pin

封装

DE-375

针脚数

6 Position

极性

N-Channel

功耗

940 W

漏源极电压(Vds)

1 kV

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

上升时间

3.00 ns

工作温度(Max)

175 ℃

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DE375-102N12A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

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DE375-102N12A 符合标准

DE375-102N12A 海关信息

DE375-102N12A 数据手册

IXYS Semiconductor

3 页 / 0.08 MByte

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5 页 / 0.14 MByte

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