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Datasheet 搜索 > 接口芯片 > Vishay Siliconix > DG4052EEN-T1-GE4 Datasheet 文档
DG4052EEN-T1-GE4
器件3D模型
0.882
DG4052EEN-T1-GE4 数据手册 (21 页)
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DG4052EEN-T1-GE4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
QFN-16
电路数
2 Circuit
通道数
8 Channel
功耗
525 mW
带宽
353 MHz
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
3dB带宽
353 MHz
电源电压(Max)
16 V
电源电压(Min)
3 V

DG4052EEN-T1-GE4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)

DG4052EEN-T1-GE4 数据手册

Vishay Siliconix
21 页 / 0.39 MByte

DG4052EENT1 数据手册

VISHAY(威世)
芯片, 模拟多路复用器, 4:1, 2电路, 78R, 3V至16V, ± 3V至± 8V, 迷你 QFN-16
Vishay Semiconductor(威世)
DG4052E 系列 16 V 78 Ohm 高精度 CMOS 模拟 多路复用器 - miniQFN-16
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