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Datasheet 搜索 > 接口芯片 > Vishay Siliconix > DG613DY-E3 Datasheet 文档
DG613DY-E3
器件3D模型
1.833

DG613DY-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
电源电压
21.0V (max)
封装
SOIC-16
供电电流
1 μA
电路数
1 Circuit
通道数
4 Channel
漏源极电阻
45.0 Ω
输入电流
30 mA
功耗
600 mW
带宽
500 MHz
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
3dB带宽
500 MHz
电源电压(Max)
21 V
电源电压(Min)
5 V

DG613DY-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
10 mm
宽度
4 mm
高度
1.55 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

DG613DY-E3 数据手册

Vishay Siliconix
15 页 / 0.17 MByte
Vishay Siliconix
16 页 / 0.18 MByte
Vishay Siliconix
2 页 / 0.09 MByte

DG613 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
高速,低毛刺D / CMOS模拟开关 High-Speed, Low-Glitch D/CMOS Analog Switches
VISHAY(威世)
高速,低毛刺D / CMOS模拟开关 High-Speed, Low-Glitch D/CMOS Analog Switches
VISHAY(威世)
高速,低毛刺D / CMOS模拟开关 High-Speed, Low-Glitch D/CMOS Analog Switches
Vishay Siliconix
模拟开关 IC RECOMMENDED ALT 78-DG613EEY-T1-GE4
VISHAY(威世)
高速,低毛刺D / CMOS模拟开关 High-Speed, Low-Glitch D/CMOS Analog Switches
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  DG613DY-E3  模拟开关, SPST, 4 放大器, 45 ohm, -10V 至 0V, 5V 至 21V, SOIC, 16 引脚
VISHAY(威世)
高速,低毛刺D / CMOS模拟开关 High-Speed, Low-Glitch D/CMOS Analog Switches
Vishay Semiconductor(威世)
高速,低毛刺D / CMOS模拟开关 High-Speed, Low-Glitch D/CMOS Analog Switches
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