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DMG1013T 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

RF模块、IC及配件

封装:

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

DMG1013T 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

DMG1013T 数据手册 (6 页)

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DMG1013T 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

极性

P-CH

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.46A

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DMG1013T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

查看数据手册 >

DMG1013T 符合标准

DMG1013T 数据手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.13 MByte

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P沟道,Vdss=20V,Idss=820mA

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Diodes（美台）

•低导通电阻•低栅极阈值电压•低输入电容•开关速度快•低输入/输出漏

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Diodes（美台）

晶体管, MOSFET, P沟道, -820 mA, -20 V, 0.5 ohm, -4.5 V, -1 V

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P 通道 MOSFET，12V 至 25V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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