￥ 0.013

DMG2301U-7 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

DMG2301U 系列 20 V 80 mOhm P 沟道增强模式 Mosfet - SOT-23-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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DMG2301U-7 数据手册 (6 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在5 页

原理图在1 页

DMG2301U-7 数据手册 (6 页)

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DMG2301U-7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

80 mΩ

极性

P-CH

功耗

0.8 W

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

连续漏极电流(Ids)

2.7A

上升时间

10.3 ns

输入电容值(Ciss)

608pF @6V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

下降时间

22.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

800mW (Ta)

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DMG2301U-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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DMG2301U-7 符合标准

DMG2301U-7 海关信息

DMG2301U-7 概述

DMG2301U-7 数据手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.26 MByte

DMG2301U-7 其他数据使用手册

Diodes（美台）

183 页 / 0.63 MByte

DMG2301U-7 开发手册

Diodes（美台）

7 页 / 0.48 MByte

DMG2301U-7 产品修订记录

Diodes（美台）

7 页 / 0.18 MByte

DMG2301 数据手册

DMG2301U-7 数据手册

Diodes（美台）

DMG2301U 系列 20 V 80 mOhm P 沟道增强模式 Mosfet - SOT-23-3

DMG2301LK-7 数据手册

Diodes（美台）

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.136 ohm, -4.5 V, -600 mV

DMG2301L-7 数据手册

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DMG2301L-7 编带

DMG2301L-13 数据手册

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场效应管(MOSFET) DMG2301L-13 SOT-23

DMG2301LK-13 数据手册

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Diodes Zetex（捷特科）

P 通道 MOSFET，12V 至 25V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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