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DMG2307L
0.052

DMG2307L 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-23
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.07 Ω
功耗
760 mW
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
工作温度(Max)
150 ℃

DMG2307L 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.19 MByte

DMG2307 数据手册

Diodes(美台)
三极管
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -4.6 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -1 V
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  DMG2307L  晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -4.6 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -1 V
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,30V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
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