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DMMT5551S-7 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-26-6

描述:

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

DMMT5551S-7 数据手册 (4 页)

DMMT5551S-7 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SOT-26-6

极性

NPN

功耗

300 mW

击穿电压(集电极-发射极)

160 V

集电极最大允许电流

0.2A

最小电流放大倍数

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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DMMT5551S-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

长度

3 mm

宽度

1.6 mm

高度

1.1 mm

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DMMT5551S-7 符合标准

DMMT5551S-7 数据手册

Diodes（美台）

4 页 / 0.08 MByte

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