￥ 0.038

DMN10H700S-7 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 100 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

DMN10H700S-7 数据手册

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DMN10H700S-7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

540 mΩ

功耗

500 mW

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

上升时间

1.1 ns

输入电容值(Ciss)

235pF @50V(Vds)

下降时间

1 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

400mW (Ta)

DMN10H700S-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

DMN10H700S-7 符合标准

DMN10H700S-7 数据手册

DMN10H700S-7 其他数据使用手册

Diodes（美台）

7 页 / 0.58 MByte

DMN10H700S-7 开发手册

Diodes（美台）

8 页 / 0.37 MByte

DMN10H700 数据手册

DMN10H700S-7 数据手册

Diodes（美台）

晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 100 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V

DMN10H700S-13 数据手册

Diodes（美台）

场效应管(MOSFET) DMN10H700S-13 SOT-23

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