￥ 0.115

DMN2005DLP4K-7 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

DFN-6

描述:

DMN2005 系列 20 V 1.5 Ohm 双 N 沟道增强模式 Mosfet - DFN-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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DMN2005DLP4K-7 数据手册 (5 页)

封装尺寸在4 页

原理图在1 页

DMN2005DLP4K-7 数据手册 (5 页)

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DMN2005DLP4K-7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

DFN-6

极性

N-CH

功耗

0.4 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.3A

额定功率(Max)

350 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

400 mW

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DMN2005DLP4K-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.3 mm

宽度

1 mm

高度

0.35 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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DMN2005DLP4K-7 符合标准

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5 页 / 0.09 MByte

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199 页 / 0.86 MByte

DMN2005DLP4K-7 开发手册

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