输入电容值(Ciss)
36pF @16V(Vds)
●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | ±12 V 最大漏极电流IdDrain Current | 1.33A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.65Ω~1.5Ω VGS = 1.5V, ID = 50mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | 0.5v~0.9v 耗散功率PdPower Dissipation | 530mw/0.53W Description & Applications | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET.
● Low On-Resistance.
● Low Gate Threshold Voltage.
● Low Input Capacitance.
● Fast Switching Speed .
● Low Input/Output Leakage .
● ESD Protected up to 2kV. 描述与应用 | 双N沟道增强型MOSFET。
●低导通电阻。
●低栅极阈值电压。
●低输入电容。
●开关速度快。
●低输入/输出漏。
●高达2kV的ESD保护。
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
DMN2400UFB4-7 编带
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DMN2400UFD-7 编带
Diodes（美台）
场效应管(MOSFET) DMN2400UFDQ-7 UDFN12123
Diodes（美台）
场效应管(MOSFET) DMN2400UFB4-7B X2-DFN1006-3
Diodes（美台）
场效应管(MOSFET) DMN2400UFDQ-13 UDFN12123
Diodes Zetex（捷特科）
N 通道 MOSFET，Diodes Inc.### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
N 通道 MOSFET，12V 至 28V，Diodes Inc
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