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DMN26D0UFB4-7B 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

DFN1006-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

DMN26D0UFB4-7B 数据手册 (25 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在20 页 22 页 23 页

典型应用电路图在12 页 13 页

原理图在1 页 9 页

DMN26D0UFB4-7B 数据手册 (25 页)

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DMN26D0UFB4-7B 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

DFN1006-3

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.24A

上升时间

7.9 ns

输入电容值(Ciss)

14.1pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

350 mW

下降时间

15.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350 mW

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DMN26D0UFB4-7B 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

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DMN26D0UFB4-7B 符合标准

DMN26D0UFB4-7B 数据手册

Diodes（美台）

25 页 / 1.21 MByte

DMN26D0UFB4-7B 其他数据使用手册

Diodes（美台）

8 页 / 0.16 MByte

DMN26D0UFB4-7B 开发手册

Diodes（美台）

7 页 / 0.41 MByte

DMN26D0UFB4-7B 产品封装文件

Diodes（美台）

6 页 / 0.12 MByte

DMN26D0UFB47 数据手册

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Diodes（美台）

N沟道,Vdss=20V,Idss=230mA

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N 通道 MOSFET，12V 至 28V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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