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DMN26D0UT-7 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOT-523-3

描述:

DMN26D0UT 系列 20 V 3 Ohm 表面贴装 N 沟道增强模式 Mosfet - SOT-523

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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DMN26D0UT-7 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

DMN26D0UT-7 数据手册 (6 页)

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DMN26D0UT-7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-523-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.8 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 mW

阈值电压

1 V

输入电容

14.1 pF

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.23A

上升时间

7.9 ns

输入电容值(Ciss)

14.1pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

300 mW

下降时间

15.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

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DMN26D0UT-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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DMN26D0UT-7 符合标准

DMN26D0UT-7 概述

DMN26D0UT-7 数据手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.14 MByte

DMN26D0UT-7 其他数据使用手册

Diodes（美台）

293 页 / 0.91 MByte

DMN26D0UT-7 产品封装文件

Diodes（美台）

6 页 / 0.14 MByte

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N沟道,Vdss=20V,Idss=230mA

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N 通道 MOSFET，12V 至 28V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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N 通道 MOSFET，Diodes Inc.### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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