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DMN3018SFG-13
0.148
DMN3018SFG-13 数据手册 (5 页)
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DMN3018SFG-13 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PowerDI-3333-8
极性
N-CH
功耗
2.2 W
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
8.5A
上升时间
4.4 ns
输入电容值(Ciss)
697pF @15V(Vds)
下降时间
4.1 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2200 mW

DMN3018SFG-13 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DMN3018SFG-13 数据手册

Diodes(美台)
5 页 / 0.66 MByte
Diodes(美台)
6 页 / 0.47 MByte

DMN3018 数据手册

Diodes(美台)
双 N-沟道 30 V 30 mOhm 6 nC 1.5 W 硅 表面贴装 Mosfet - SOIC-8
Diodes(美台)
N沟道 30V 7.3A
Diodes(美台)
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMN3018SFG-7 PowerDI3333-8
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,30V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,30V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,30V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
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