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DMN3033LSD
器件3D模型
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DMN3033LSD 数据手册
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DMN3033LSD 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC
漏源极电阻
0.022 Ω
功耗
2 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

DMN3033LSD 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DMN3033LSD 数据手册

Diodes(美台)
6 页 / 0.2 MByte

DMN3033 数据手册

Diodes(美台)
N沟道 30V 6A
Diodes(美台)
DMN3033 系列 30 V 33 mOhm N沟道 增强模式 Mosfet - SOT-26-6
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMN3033LSD-13 SO-8
Diodes(美台)
DMN3033LSNQ-7 编带
Diodes(美台)
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  DMN3033LSD  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.9 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1 V
Diodes Zetex(捷特科)
MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
Diodes(美台)
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