器件3D模型

￥ 0.116

DMN3033LSD-13 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOP-8

描述:

场效应管(MOSFET) DMN3033LSD-13 SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

DMN3033LSD-13 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

原理图在1 页

DMN3033LSD-13 数据手册 (6 页)

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DMN3033LSD-13 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOP-8

通道数

2 Channel

漏源极电阻

22 mΩ

极性

N-CH

功耗

2 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

6.9A

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

725pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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DMN3033LSD-13 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.3 mm

宽度

4.1 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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DMN3033LSD-13 符合标准

DMN3033LSD-13 海关信息

DMN3033LSD-13 概述

DMN3033LSD-13 数据手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.22 MByte

DMN3033LSD-13 其他数据使用手册

Diodes（美台）

293 页 / 0.91 MByte

DMN3033LSD-13 产品修订记录

Diodes（美台）

7 页 / 0.18 MByte

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