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DMN3033LSNQ-13
0.173
DMN3033LSNQ-13 数据手册 (293 页)
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DMN3033LSNQ-13 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
功耗
1.4W (Ta)
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
7 ns
输入电容值(Ciss)
755pF @10V(Vds)
下降时间
30 ns
耗散功率(Max)
1.4W (Ta)

DMN3033LSNQ-13 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

DMN3033LSNQ-13 数据手册

Diodes(美台)
293 页 / 0.91 MByte
Diodes(美台)
6 页 / 0.41 MByte

DMN3033 数据手册

Diodes(美台)
N沟道 30V 6A
Diodes(美台)
DMN3033 系列 30 V 33 mOhm N沟道 增强模式 Mosfet - SOT-26-6
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMN3033LSD-13 SO-8
Diodes(美台)
DMN3033LSNQ-7 编带
Diodes(美台)
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  DMN3033LSD  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.9 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1 V
Diodes Zetex(捷特科)
MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
Diodes(美台)
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