DMN30H4D0LFDE-7

￥ 0.375

DMN30H4D0LFDE-7 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

UDFN2020-6

描述:

DMN30H4D0LFDE-7 编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

DMN30H4D0LFDE-7 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

DMN30H4D0LFDE-7 数据手册 (6 页)

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DMN30H4D0LFDE-7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

UDFN2020-6

通道数

1 Channel

漏源极电阻

2.3 Ω

极性

N-CH

功耗

1.98 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

300 V

漏源击穿电压

300 V

连续漏极电流(Ids)

0.55A

上升时间

4.7 ns

输入电容值(Ciss)

187.3pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

630 mW

下降时间

17.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

630mW (Ta)

查看数据手册 >

DMN30H4D0LFDE-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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DMN30H4D0LFDE-7 符合标准

DMN30H4D0LFDE-7 数据手册

DMN30H4D0LFDE-7 数据手册

Diodes（美台）

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