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DMN3300U
0.154
DMN3300U 数据手册 (5 页)
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DMN3300U 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-23
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.1 Ω
功耗
600 mW
阈值电压
500 mV
漏源极电压(Vds)
30 V
工作温度(Max)
150 ℃

DMN3300U 数据手册

Diodes(美台)
5 页 / 0.17 MByte

DMN3300 数据手册

Diodes(美台)
DMN3300U 系列 30 V 150 mOhm N沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  DMN3300U  晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 2 A, 30 V, 0.1 ohm, 4.5 V, 500 mV
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 2 A, 30 V, 0.1 ohm, 4.5 V, 500 mV
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