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DMN3300U-7 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

DMN3300U 系列 30 V 150 mOhm N沟道增强模式 Mosfet - SOT-23-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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DMN3300U-7 数据手册 (5 页)

封装尺寸在4 页

原理图在1 页

DMN3300U-7 数据手册 (5 页)

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DMN3300U-7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

极性

N-CH

功耗

1.3 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

24 ns

输入电容值(Ciss)

193pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

600 mW

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700mW (Ta)

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DMN3300U-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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DMN3300U-7 符合标准

DMN3300U-7 概述

DMN3300U-7 数据手册

Diodes（美台）

5 页 / 0.17 MByte

DMN3300U-7 其他数据使用手册

Diodes（美台）

293 页 / 0.91 MByte

DMN3300U-7 开发手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.48 MByte

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DMN3300U-7 数据手册

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DIODES INC. DMN3300U 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 2 A, 30 V, 0.1 ohm, 4.5 V, 500 mV

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Diodes（美台）

晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 2 A, 30 V, 0.1 ohm, 4.5 V, 500 mV

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