器件3D模型

￥ 0.17

DMN4800LSSL 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

描述:

DIODES INC. DMN4800LSSL 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

DMN4800LSSL 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

原理图在1 页

DMN4800LSSL 数据手册 (6 页)

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DMN4800LSSL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

漏源极电阻

0.011 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.46 W

阈值电压

1.2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

工作温度(Max)

150 ℃

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DMN4800LSSL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Cut Tape (CT)

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DMN4800LSSL 符合标准

DMN4800LSSL 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

6 页 / 0.21 MByte

DMN4800LSSL 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.22 MByte

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Diodes（美台）

N沟道 30V 8A

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Diodes（美台）

N沟道 30V 8.6A

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DIODES INC. DMN4800LSSL 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V

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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V

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N 沟道 MOSFET，30V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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