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DMN601TK
0.297
DMN601TK 数据手册 (4 页)
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DMN601TK 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
SOT-523
漏源极电阻
2 Ω
极性
N-Channel
功耗
150 mW
阈值电压
1.6 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
0.3A
工作温度(Max)
150 ℃

DMN601TK 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)

DMN601TK 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
4 页 / 0.13 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
4 页 / 0.26 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.44 MByte

DMN601 数据手册

Diodes(美台)
·低导通电阻RDS(ON)·低栅极阈值电压·低输入电容·开关速度快·低输入/输出漏·无铅设计/ RoHS规定(注2)·ESD保护高达2kV·“绿色”设备(注4)
Diodes(美台)
N-沟道 60 V 0.3 A 2 Ω 表面贴装 Mosfet - SOT-523
Diodes(美台)
DMN601DWK-7 编带
Diodes(美台)
DMN601 系列 60 V 2.4 Ohm 双 N-沟道 增强型 Mosfet - SOT-23-6
Diodes(美台)
DMN601VK-7 编带
Diodes(美台)
DMN601WK-7 编带
Diodes(美台)
DMN6013LFG-7 编带
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMN601WKQ-7 SOT-323-3
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMN601VKQ-7 SOT-563
Vishay Semiconductor(威世)
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