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DMN6068SE
0.208
DMN6068SE 数据手册 (9 页)
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DMN6068SE 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-223
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.068 Ω
功耗
16 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
工作温度(Max)
150 ℃

DMN6068SE 数据手册

Diodes(美台)
9 页 / 0.29 MByte

DMN6068 数据手册

Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 3 V
Diodes(美台)
DMN6068LK3-13 编带
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 1 V
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  DMN6068SE  晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 1 V
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
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