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DMN6068SEQ-13
0.147
DMN6068SEQ-13 数据手册 (9 页)
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DMN6068SEQ-13 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-223
极性
N-CH
输入电容
502 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
5.6A
上升时间
10.8 ns
输入电容值(Ciss)
502pF @30V(Vds)
下降时间
8.7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3700 mW

DMN6068SEQ-13 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm

DMN6068SEQ-13 数据手册

Diodes(美台)
9 页 / 0.29 MByte
Diodes(美台)
10 页 / 0.51 MByte

DMN6068 数据手册

Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 3 V
Diodes(美台)
DMN6068LK3-13 编带
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 1 V
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  DMN6068SE  晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 1 V
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
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