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DMP1045U-7
0.031
DMP1045U-7 数据手册 (6 页)
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DMP1045U-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
31 mΩ
极性
P-CH
功耗
800 mW
阈值电压
0.3 V
漏源极电压(Vds)
12 V
漏源击穿电压
12 V
连续漏极电流(Ids)
5.2A
上升时间
23.3 ns
输入电容值(Ciss)
1357pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
800 mW
下降时间
106.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
800mW (Ta)

DMP1045U-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DMP1045U-7 数据手册

Diodes(美台)
6 页 / 0.21 MByte
Diodes(美台)
293 页 / 0.91 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.38 MByte

DMP1045 数据手册

Diodes(美台)
DMP1045U 系列 12 V 31 mOhm P 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3
Diodes(美台)
DMP1045UFY4-7 编带
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMP1045UQ-7 SOT-23
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  DMP1045U  晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, 5.2 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -0.55 V
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, 5.2 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -550 mV
Diodes Zetex(捷特科)
P 通道 MOSFET,12V 至 25V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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