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DMP2035UVT-7
0.041
DMP2035UVT-7 数据手册 (6 页)
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DMP2035UVT-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
TSOT-23-6
通道数
1 Channel
漏源极电阻
35 mΩ
极性
P-CH
功耗
2 W
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
6A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
2400pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1.2 W
下降时间
42 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1.2W (Ta)

DMP2035UVT-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

DMP2035UVT-7 数据手册

Diodes(美台)
6 页 / 0.21 MByte
Diodes(美台)
203 页 / 1.09 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.55 MByte

DMP2035 数据手册

Diodes(美台)
三极管
Diodes(美台)
P沟道 20V 6A
Diodes(美台)
DIODES INC.  DMP2035U  晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -3.6 A, -20 V, 0.023 ohm, -4.5 V, -700 mV
Diodes(美台)
双P沟道(共漏) 20V 6.04A
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
P 通道 MOSFET,12V 至 25V,Diodes Inc
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMP2035UQ-7 SOT-23
Diodes Zetex(捷特科)
P 通道 MOSFET,12V 至 25V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
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