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DMP3056LDM
0.114
DMP3056LDM 数据手册 (6 页)
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DMP3056LDM 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
6 Pin
封装
SOT-26
漏源极电阻
0.045 Ω
极性
P-Channel
功耗
1.25 mW
阈值电压
1.7 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
5A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

DMP3056LDM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DMP3056LDM 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.15 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.12 MByte

DMP3056 数据手册

Diodes(美台)
DMP3056L-7 编带
Diodes(美台)
DMP3056LSS-13 编带
Diodes(美台)
P 沟道 30 V 65 mΩ 1.5 W 10.1 nC 表面贴装 功率 MosFet - SOT-26
Diodes(美台)
三极管
Diodes(美台)
Diodes(美台)
DIODES INC.  DMP3056LSD  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -6.9 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, 1.7 V
Diodes(美台)
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  DMP3056LDM  晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -5 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1 V
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,30V,Diodes Inc
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