器件3D模型

￥ 0.092

DMP3056LSD-13 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOP-8

描述:

三极管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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DMP3056LSD-13 数据手册 (5 页)

封装尺寸在4 页

原理图在1 页

DMP3056LSD-13 数据手册 (5 页)

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DMP3056LSD-13 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOP-8

极性

P-CH

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

6.9A

上升时间

5.3 ns

输入电容值(Ciss)

722pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

14.7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5 W

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DMP3056LSD-13 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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DMP3056LSD-13 符合标准

DMP3056LSD-13 海关信息

DMP3056LSD-13 概述

DMP3056LSD-13 数据手册

Diodes（美台）

5 页 / 0.22 MByte

DMP3056LSD-13 其他数据使用手册

Diodes（美台）

293 页 / 0.91 MByte

DMP3056LSD-13 开发手册

Diodes（美台）

7 页 / 0.47 MByte

DMP3056LSD-13 产品修订记录

Diodes（美台）

7 页 / 0.18 MByte

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P 沟道 30 V 65 mΩ 1.5 W 10.1 nC 表面贴装功率 MosFet - SOT-26

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DIODES INC. DMP3056LSD 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -6.9 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, 1.7 V

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P 沟道 MOSFET，30V，Diodes Inc

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