器件3D模型

￥ 0.081

DMS3015SSS-13 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

DIODES INC. DMS3015SSS-13 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 8.5 mohm, 10 V, 1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

DMS3015SSS-13 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

原理图在1 页

DMS3015SSS-13 数据手册 (6 页)

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DMS3015SSS-13 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0085 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.55 W

阈值电压

1.5 V

输入电容

1276 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

11A

上升时间

27.8 ns

输入电容值(Ciss)

1276pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1.55 W

下降时间

13.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.55W (Ta)

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DMS3015SSS-13 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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DMS3015SSS-13 符合标准

DMS3015SSS-13 海关信息

DMS3015SSS-13 概述

DMS3015SSS-13 数据手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.14 MByte

DMS3015SSS-13 其他数据使用手册

Diodes（美台）

199 页 / 0.86 MByte

DMS3015 数据手册

DMS3015SSS-13 数据手册

Diodes（美台）

DIODES INC. DMS3015SSS-13 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 8.5 mohm, 10 V, 1.5 V

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Diodes Zetex（捷特科）

N 沟道 MOSFET，30V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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