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DN3535N8-G
0.55
DN3535N8-G 数据手册 (5 页)
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DN3535N8-G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-89-3
额定功率
1.6 W
通道数
1 Channel
漏源极电阻
10.0 Ω
极性
N-Channel
功耗
1600 mW
漏源极电压(Vds)
350 V
漏源击穿电压
350 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
230 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

DN3535N8-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DN3535N8-G 数据手册

Supertex(超科)
5 页 / 0.37 MByte

DN3535N8 数据手册

Supertex(超科)
Microchip(微芯)
MICROCHIP  DN3535N8-G  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 350 V, 10 ohm, 0 V
Supertex(超科)
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