￥ 0.593

DN3545N8-G 数据手册 - Microchip（微芯）

制造商:

Microchip（微芯）

分类:

MOS管

封装:

SOT-89-3

描述:

MICROCHIP DN3545N8-G 芯片, 场效应管, MOSFET, 耗尽模式, 450V, 20Ω, 3-SOT-89, T/R

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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DN3545N8-G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页 6 页

DN3545N8-G 数据手册 (6 页)

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DN3545N8-G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-89-3

额定功率

1.6 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

20 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.6 W

漏源极电压(Vds)

450 V

连续漏极电流(Ids)

0.2A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

360pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.6 W

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.6W (Ta)

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DN3545N8-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

4.6 mm

宽度

2.6 mm

高度

1.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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DN3545N8-G 符合标准

DN3545N8-G 概述

DN3545N8-G 数据手册

Microchip（微芯）

6 页 / 0.8 MByte

DN3545N8-G 其他数据使用手册

Microchip（微芯）

43 页 / 1.85 MByte

DN3545N8-G 产品修订记录

Microchip（微芯）

2 页 / 0.1 MByte

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