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DS1220AB100
器件3D模型
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DS1220AB100 数据手册 (9 页)
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DS1220AB100 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
24 Pin
电源电压
5.00 V, 5.25 V (max)
封装
DIP
时钟频率
100 GHz
存取时间
100 ns
内存容量
2000 B

DS1220AB100 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk

DS1220AB100 数据手册

Maxim Integrated(美信)
9 页 / 0.19 MByte

DS1220 数据手册

Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AB-200+  芯片, 存储器, NVRAM
Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-120+  芯片, 存储器, NVRAM
Maxim Integrated(美信)
RAM,Maxim Integrated
Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-100IND+  芯片, 存储器, NVRAM
Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AB-150+  芯片, 存储器, NVRAM
Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-200+  芯片, 存储器, NVRAM
Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-150+  芯片, 存储器, NVRAM
Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AB-120+  芯片, 存储器, NVRAM
Maxim Integrated(美信)
RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。
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