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Datasheet 搜索 > RAM芯片 > Maxim Integrated(美信) > DS1220AB-100IND+ Datasheet 文档
DS1220AB-100IND+
15.147
DS1220AB-100IND+ 数据手册 (8 页)
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DS1220AB-100IND+ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
EDIP-24
存取时间
100 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
电源电压
4.75V ~ 5.25V
电源电压(Max)
5.25 V
电源电压(Min)
4.75 V

DS1220AB-100IND+ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
38.1 mm
宽度
18.8 mm
高度
10.67 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

DS1220AB-100IND+ 数据手册

Maxim Integrated(美信)
8 页 / 0.19 MByte
Maxim Integrated(美信)
1 页 / 0.01 MByte
Maxim Integrated(美信)
2 页 / 0.07 MByte
Maxim Integrated(美信)
9 页 / 0.38 MByte
Maxim Integrated(美信)
9 页 / 0.08 MByte

DS1220AB100 数据手册

Maxim Integrated(美信)
RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。
Maxim Integrated(美信)
16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Maxim Integrated(美信)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Maxim Integrated(美信)
Maxim Integrated(美信)
16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
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