器件3D模型

￥ 0

DS1220AB-100IND 数据手册 - Maxim Integrated（美信）

制造商:

Maxim Integrated（美信）

分类:

存储芯片

封装:

DIP-24

描述:

16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

DS1220AB-100IND 数据手册 (8 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在7 页

DS1220AB-100IND 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

DS1220AB-100IND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

24 Pin

电源电压

5.00 V, 5.25 V (max)

封装

DIP-24

时钟频率

100 GHz

存取时间

100 ns

内存容量

16000 B

电源电压

4.75V ~ 5.25V

查看数据手册 >

DS1220AB-100IND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bulk

工作温度

-40℃ ~ 85℃ (TA)

查看数据手册 >

DS1220AB-100IND 符合标准

DS1220AB-100IND 数据手册

Maxim Integrated（美信）

8 页 / 0.19 MByte

DS1220AB-100IND 其他数据使用手册

Maxim Integrated（美信）

9 页 / 0.19 MByte

DS1220AB100 数据手册

DS1220AB-100+ 数据手册

Maxim Integrated（美信）

RAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。

DS1220AB-100 数据手册

Maxim Integrated（美信）

16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM

DS1220AB-100 数据手册

Dallas Semiconductor（达拉斯半导体）

DS1220AB100 数据手册

Maxim Integrated（美信）

DS1220AB-100+ 数据手册

Dallas Semiconductor（达拉斯半导体）

DS1220AB-100IND+ 数据手册

Maxim Integrated（美信）

DS1220AB-100IND 数据手册

Maxim Integrated（美信）

16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM

DS1220AB-100IND+ 数据手册

Dallas Semiconductor（达拉斯半导体）

DS1220AB-100-IND 数据手册

Dallas Semiconductor（达拉斯半导体）

DS1220AB-100IND 数据手册

Dallas Semiconductor（达拉斯半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号