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Datasheet 搜索 > 存储芯片 > Maxim Integrated(美信) > DS1225AB-150IND Datasheet 文档
DS1225AB-150IND
器件3D模型
30.117
DS1225AB-150IND 数据手册 (9 页)
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DS1225AB-150IND 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
28 Pin
电源电压
4.75V (min)
封装
DIP-28
时钟频率
150 GHz
存取时间
150 ns
内存容量
8000 B
电源电压
4.75V ~ 5.25V

DS1225AB-150IND 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

DS1225AB-150IND 数据手册

Maxim Integrated(美信)
9 页 / 0.19 MByte
Maxim Integrated(美信)
10 页 / 0.19 MByte

DS1225AB150 数据手册

Maxim Integrated(美信)
RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。
Maxim Integrated(美信)
8k x 8 非易失性 SRAM
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AB-150IND+  芯片, 存储器, NVRAM
Maxim Integrated(美信)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Maxim Integrated(美信)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
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