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Datasheet 搜索 > 存储芯片 > Maxim Integrated(美信) > DS1225AB-150IND+ Datasheet 文档
DS1225AB-150IND+
18.3
DS1225AB-150IND+ 数据手册 (9 页)
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DS1225AB-150IND+ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
28 Pin
电源电压
4.75V (min)
封装
DIP-28
针脚数
28 Position
存取时间
150 ns
内存容量
8000 B
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
4.75V ~ 5.25V
电源电压(Max)
5.25 V
电源电压(Min)
4.75 V

DS1225AB-150IND+ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Each
长度
39.12 mm
宽度
18.29 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

DS1225AB-150IND+ 数据手册

Maxim Integrated(美信)
9 页 / 0.19 MByte
Maxim Integrated(美信)
1 页 / 0.01 MByte
Maxim Integrated(美信)
2 页 / 0.07 MByte
Maxim Integrated(美信)
10 页 / 0.19 MByte
Maxim Integrated(美信)
9 页 / 0.08 MByte

DS1225AB150 数据手册

Maxim Integrated(美信)
RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。
Maxim Integrated(美信)
8k x 8 非易失性 SRAM
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AB-150IND+  芯片, 存储器, NVRAM
Maxim Integrated(美信)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Maxim Integrated(美信)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
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