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DS1230Y-200-IND
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DS1230Y-200-IND 数据手册 (11 页)
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DS1230Y-200-IND 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
EDIP-28
存取时间
200 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
4.5 V

DS1230Y-200-IND 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
39.12 mm
宽度
18.8 mm
高度
9.4 mm

DS1230Y-200-IND 数据手册

Maxim Integrated(美信)
11 页 / 0.2 MByte

DS1230Y200 数据手册

Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-200+  芯片, 存储器, NVRAM
Maxim Integrated(美信)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-200IND+  芯片, 存储器, NVRAM
Maxim Integrated(美信)
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Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
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