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Datasheet 搜索 > 存储芯片 > Maxim Integrated(美信) > DS1230Y-200IND+ Datasheet 文档
DS1230Y-200IND+
25.875
DS1230Y-200IND+ 数据手册 (10 页)
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DS1230Y-200IND+ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
28 Pin
电源电压
5.00 V, 5.50 V (max)
封装
EDIP-28
针脚数
28 Position
时钟频率
200 GHz
存取时间
200 ns
内存容量
32000 B
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
4.5 V

DS1230Y-200IND+ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 85℃

DS1230Y-200IND+ 数据手册

Maxim Integrated(美信)
10 页 / 0.21 MByte
Maxim Integrated(美信)
1 页 / 0.01 MByte
Maxim Integrated(美信)
2 页 / 0.07 MByte
Maxim Integrated(美信)
7 页 / 0.31 MByte
Maxim Integrated(美信)
9 页 / 0.08 MByte

DS1230Y200 数据手册

Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-200+  芯片, 存储器, NVRAM
Maxim Integrated(美信)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-200IND+  芯片, 存储器, NVRAM
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Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
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