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DS25BR100TSD/NOPB
2.763
DS25BR100TSD/NOPB 数据手册 (19 页)
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DS25BR100TSD/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
3.00V (min)
封装
WFDFN-8
供电电流
35 mA
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
功耗
2080 mW
数据速率
3.12 Gbps
功耗
115 W
输入电容
1.7 pF
输入电压(Max)
0.1 V
输入电压(Min)
0.1 V
输出电压(Max)
0.45 V
输入电流(Min)
10 µA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2080 mW
电源电压
3V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
3 V

DS25BR100TSD/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
3 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

DS25BR100TSD/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
19 页 / 0.84 MByte
TI(德州仪器)
14 页 / 0.39 MByte
TI(德州仪器)
12 页 / 0.39 MByte

DS25BR100 数据手册

TI(德州仪器)
具有发送预强调和接收均衡功能的 3.125 Gbps LVDS 缓冲器
TI(德州仪器)
逻辑芯片, LVDS缓冲器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  DS25BR100EVK/NOPB  评估套件, DS25BR100 LVDS缓冲器
TI(德州仪器)
LVDS 接口集成电路 3.125 Gbps LVDS Buffer with Transmit Pre-Emphasis and Receive Equalization 8-WSON -40 to 85
National Semiconductor(美国国家半导体)
TI(德州仪器)
TI(德州仪器)
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