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DS25BR120TSDX/NOPB
2.395
DS25BR120TSDX/NOPB 数据手册 (17 页)
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DS25BR120TSDX/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
WFDFN-8
供电电流
35 mA
通道数
1 Channel
功耗
2.08 W
功耗
115 W
输入电容
1.7 pF
输入电压(Min)
100 mV
输出电压(Max)
450 mV
输入电流(Min)
10 µA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
耗散功率(Max)
2080 mW
电源电压
3V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
3 V

DS25BR120TSDX/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
3 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

DS25BR120TSDX/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
17 页 / 0.82 MByte

DS25BR120 数据手册

TI(德州仪器)
具有发送预强调功能的 3.125 Gbps LVDS 缓冲器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  DS25BR120TSD/NOPB  驱动器, LVDS, 差分缓冲器, 65 ps, 43 mA, -40 °C, 85 °C, 3 V
TI(德州仪器)
DS25BR120 3.125 Gbps的LVDS缓冲器,具有传输预加重 DS25BR120 3.125 Gbps LVDS Buffer with Transmit Pre-Emphasis
TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
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