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器件3D模型
¥ 0.397
DS92001TMA 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
接口芯片
封装:
SOIC-8
描述:
DS92001 3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 DS92001 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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DS92001TMA 数据手册 (17 页)
引脚图
在
6 页
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封装尺寸
在
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在
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DS92001TMA 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
50 mA
通道数
1 Channel
功耗
726 mW
数据速率
400 Mbps
功耗
165 W
输入电压(Min)
70 mV
输出电压(Max)
500 mV
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
电源电压
3V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
3 V
查看数据手册 >
DS92001TMA 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.45 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃
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DS92001TMA 符合标准
DS92001TMA 概述
●
缓冲器,转接驱动器 1 通道 400Mbps 8-SOIC
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DS92001TMA 数据手册
DS92001TMA
数据手册
TI(德州仪器)
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DS92001TMA
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TI(德州仪器)
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DS92001 数据手册
DS92001
数据手册
TI(德州仪器)
3.3V B/LVDS-BLVDS 缓冲器
DS92001
数据手册
National Semiconductor(美国国家半导体)
3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
DS92001
TMA/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS DS92001TMA/NOPB 驱动器, LVDS, -40 °C, 85 °C, 3 V
DS92001
TMAX/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
DS92001 3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 DS92001 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
DS92001
TLD/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
DS92001 3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 DS92001 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
DS92001
TLD
数据手册
TI(德州仪器)
DS92001 3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 DS92001 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
DS92001
TMA
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TI(德州仪器)
DS92001 3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 DS92001 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
DS92001
TLD
数据手册
National Semiconductor(美国国家半导体)
3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
DS92001
TMAX
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TI(德州仪器)
DS92001 3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 DS92001 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
DS92001
TM
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National Semiconductor(美国国家半导体)
3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
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