DTDG23YP 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 60V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 2.2KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 22KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 0.1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 300 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 80MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 1.5W Description & Applications| Features 1) High DC current gain. (Min. 300 at Vo/ Io=2V / 0.5A) 2) Low Vo(on). (Typ. 0.4V at Io / Ii=500mA / 5mA) 3) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L-load (an inductive load). 描述与应用| 特性 1）高DC电流增益。 （Vo/ Io=2V/0.5A最小300） 2）低Vo（on）。 （典型0.4V@IO / II =500mA/5mA） 3）内置齐纳二极管提供了有力的保护，防止反向浪涌低负载（感性负载）。